全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化(英文) |
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引用本文: | 李欢,杨成奥,谢圣文,黄书山,柴小力,张宇,王金良,牛智川.全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化(英文)[J].红外与毫米波学报,2018(2). |
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作者姓名: | 李欢 杨成奥 谢圣文 黄书山 柴小力 张宇 王金良 牛智川 |
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作者单位: | 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院;中国科学院半导体研究所超晶格实验室;中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心 |
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摘 要: | 成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到24 d B.
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