| Ti/IrO_2-SnO_2-CeO_2电极的电容特性 |
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| 引用本文： | 邵艳群,伊昭宇,娄长影,朱君秋,马晓磊,唐电.Ti/IrO_2-SnO_2-CeO_2电极的电容特性[J].中国有色金属学报,2014(10). |
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| 作者姓名： | 邵艳群 伊昭宇 娄长影 朱君秋 马晓磊 唐电 |
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| 作者单位： | 福州大学材料科学与工程学院;厦门理工学院材料科学与工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(11374053) |
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| 摘 要： | 采用热分解法在360℃制备了Ti/IrO2-SnO2-xCeO2(摩尔分数)电极,通过X射线衍射(XRD)、交流阻抗(EIS)和循环稳定实验分析CeO2含量对Ti/IrO2-SnO2-xCeO2涂层组织、电容性能、频率响应特性和循环稳定性的影响。结果表明:CeO2可抑制IrO2-SnO2晶化,随CeO2含量的增加,IrO2-SnO2的晶化程度逐渐下降。含20%CeO2电极比电容可达505.7 F/g,是同频率下Ti/IrO2-SnO2电极的3倍。CeO2含量不超过20%时,对电极的传荷电阻Rct及弛豫时间常数τ影响较小。经历6000次循环后,10%CeO2电极电容增加了34.39%,20%CeO2电极电容增加了3.45%,显示电极优良的抗电容衰减能力。
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| 关 键 词： | 超级电容器 电化学交流阻抗 频率特性 二氧化铱 二氧化铈 |
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