| 硫酸根离子敏感半导体器件的研究 |
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| 引用本文： | 黄西朝. 硫酸根离子敏感半导体器件的研究[J]. 微电子技术, 2002, 30(3): 24-26 |
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| 作者姓名： | 黄西朝 |
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| 作者单位： | 渭南师范学院化学传感器研究室,陕西,渭南,714000 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅专项基金资助项目 (0 0JK12 8) |
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| 摘 要： | 本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件。该器件的线性响应范围为 1 0×10 - 1- 1 0× 10 - 3mol/L ,斜率为 32ml/pc (13℃ ) ,检测下限为 6 0× 10 - 4mol/L。适宜的PH范围为 4 - 4 6。
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| 关 键 词： | 离子敏感场效应晶体管 NaTPB 硫酸根 |
| 文章编号： | 1008-0147(2002)03-24-03 |
| 修稿时间： | 2001-12-10 |
Study on the Sensitive Semiconductor Device of Sulfate Radical Ion |
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| HUANG Xi chao. Study on the Sensitive Semiconductor Device of Sulfate Radical Ion[J]. Microelectronic Technology, 2002, 30(3): 24-26 |
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| Authors: | HUANG Xi chao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ion sensitive field effect transistor(ISFET) NaTPB Sulfate radical |
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