| CdZnTe晶片4种化学钝化工艺效果的比较 |
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| 引用本文： | 刘登峰,李园园,汪晓芹,杨志远.CdZnTe晶片4种化学钝化工艺效果的比较[J].材料保护,2010,43(5). |
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| 作者姓名： | 刘登峰 李园园 汪晓芹 杨志远 |
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| 作者单位： | 西安科技大学化学与化工学院,陕西西安,710054;西安科技大学化学与化工学院,陕西西安,710054;西安科技大学化学与化工学院,陕西西安,710054;西安科技大学化学与化工学院,陕西西安,710054 |
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| 摘 要： | 常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe(CZT)晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕,采用溴甲醇(Br2-CH3OH)腐蚀可有效去除损伤层和划痕,使表面变得光亮平整.但经Br2-CH3OH腐蚀的表面富Te而产生较大的表面漏电流,为此,采用H2O2溶液,NH4F/H2O2溶液,KOH-KCl溶液+NH4F/H2O2溶液二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺,对CZT晶片表面进行了钝化处理,并对比了其钝化效果.结果表明:二步法钝化效果最好,表面漏电流降低4个数量级,NH4F/H2O2对CZT晶片表面的钝化效果较好,表面漏电流降低3个数量级.
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| 关 键 词： | 钝化 CdZnTe晶片 化学抛光 表面漏电流 探测器 |
Comparison of Four Chemical Passivation Technologies for CdZnTe Wafer |
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| LIU Deng-feng,LI Yuan-yuan,WANG Xiao-qin,YANG Zhi-yuan.Comparison of Four Chemical Passivation Technologies for CdZnTe Wafer[J].Journal of Materials Protection,2010,43(5). |
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| Authors: | LIU Deng-feng LI Yuan-yuan WANG Xiao-qin YANG Zhi-yuan |
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