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含硅一维纳米材料的研究动向
引用本文:高后秀,王炜娜,陈泉水,刘双翼.含硅一维纳米材料的研究动向[J].兵器材料科学与工程,2005,28(5):50-56.
作者姓名:高后秀  王炜娜  陈泉水  刘双翼
作者单位:天津大学,材料科学与工程学院,天津,300072;天津大学,材料科学与工程学院,天津,300072;东华理工学院,材料科学与工程系,江西,抚州,344000
基金项目:天津市自然科学基金,天津市自然科学基金,南开大学校科研和教改项目
摘    要:总结了近几年来国内外硅及含科化合物一维纳米材料研究的最新进展,其中包括Si、SiO2、SiC、Si3N4等一维纳水材料的制备与表征及其适用化的可能性;简述了一种新型的含硅化合物一维纳米结构材料的合成方法。简单介绍了硅及含硅化合物一维纳米结构的应用,根据当前纳米材料的发展趋势分析了制备硅及含硅化合物一维纳米材料所存在的问题以及今后的发展方向

关 键 词:硅及含硅化合物  一维纳米材料  制备方法
文章编号:1004-244X(2005)05-0050-06
收稿时间:2005-01-27
修稿时间:2005-06-20

Research direction of one dimensional nanostructures of silicon and silicon compound
GAO Hou-xiu,WANG Wei-na,CHEN Quan-shui,LIU Shuang-yi.Research direction of one dimensional nanostructures of silicon and silicon compound[J].Ordnance Material Science and Engineering,2005,28(5):50-56.
Authors:GAO Hou-xiu  WANG Wei-na  CHEN Quan-shui  LIU Shuang-yi
Abstract:
Keywords:silicon and silicon compound  one dimensional nanostructures  preparation method
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