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PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列
引用本文:顾修全,朱丽萍,叶志镇,何海平,张银珠,赵炳辉. PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 329-332
作者姓名:顾修全  朱丽萍  叶志镇  何海平  张银珠  赵炳辉
作者单位:顾修全(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027);朱丽萍(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027);叶志镇(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027);何海平(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027);张银珠(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027);赵炳辉(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027)
摘    要:使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30~50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制.

关 键 词:PLD  ZnO  能带工程  纳米材料
文章编号:0253-4177(2007)S0-0329-04
修稿时间:2006-12-04

MgxZn1-xO Nanorod Arrays Synthesized by Pulsed-Laser Deposition
Gu Xiuquan,Zhu Liping,Ye Zhizhen,He Haiping,Zhang Yinzhu,Zhao Binghui. MgxZn1-xO Nanorod Arrays Synthesized by Pulsed-Laser Deposition[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 329-332
Authors:Gu Xiuquan  Zhu Liping  Ye Zhizhen  He Haiping  Zhang Yinzhu  Zhao Binghui
Abstract:
Keywords:
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