| 射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜 |
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| 引用本文： | 冯贞健,邢光建,陈光华,于春娜,荣延栋. 射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜[J]. 功能材料与器件学报, 2004, 10(1): 14-18 |
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| 作者姓名： | 冯贞健 邢光建 陈光华 于春娜 荣延栋 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,教育部新型功能材料重点实验室,北京,100022;北京工业大学,教育部新型功能材料重点实验室,北京,100022;北京工业大学,教育部新型功能材料重点实验室,北京,100022;北京工业大学,教育部新型功能材料重点实验室,北京,100022;北京工业大学,教育部新型功能材料重点实验室,北京,100022 |
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| 摘 要： | ~~射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜@冯贞健$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022@邢光建$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022@陈光华$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022@于春娜$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022@荣延栋$北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室!北京100022~~~~~~~~
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| 关 键 词： | c-BN薄膜 粘附性 两步法 |
| 文章编号： | 1007-4252(2004)01-0014-05 |
| 修稿时间： | 2003-04-16 |
Two-step deposition of cubic boron nitride thin film by RF sputtering technique |
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