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碳化硅晶须合成工艺的研究
引用本文:宋祖伟,李旭云,蒋海燕,刘希光,戴长虹.碳化硅晶须合成工艺的研究[J].无机盐工业,2006,38(1):29-31.
作者姓名:宋祖伟  李旭云  蒋海燕  刘希光  戴长虹
作者单位:1. 莱阳农学院,山东,青岛,266109
2. 青岛理工大学
摘    要:给出了一种低成本、规模化生产碳化硅晶须的方法。以炭黑和二氧化硅微粉为原料,对双重加热法合成碳化硅晶须进行了研究。确定了合成工艺的优化参数:二氧化硅与炭黑质量比为1.5:1,以三氧化二铁为催化剂,用量为二氧化硅原料总质量的2%,合成温度为1250℃,合成时间为1.5h。该工艺条件下可以得到平均直径为0.6μm、平均长度为30μm、生成率达80%的碳化硅晶须。与常规加热相比,双重加热技术具有节能、省时、生成率高的优点。

关 键 词:碳化硅  晶须  双重加热  二氧化硅
文章编号:1006-4990(2006)01-0029-03
收稿时间:2005-10-12
修稿时间:2005年10月12

Study on synthesis technology of silicon carbide whiskers
Song Zuwei,Li Xuyun,Jiang Haiyan,Liu Xiguang,Dai Changhong.Study on synthesis technology of silicon carbide whiskers[J].Inorganic Chemicals Industry,2006,38(1):29-31.
Authors:Song Zuwei  Li Xuyun  Jiang Haiyan  Liu Xiguang  Dai Changhong
Abstract:
Keywords:silicon carbide  whiskers  double - heating  SiO2
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