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Σ-Δ调制器的非理想特性建模与验证
引用本文:陈凯,张文俊,余志平.Σ-Δ调制器的非理想特性建模与验证[J].微电子学与计算机,2010,27(5).
作者姓名:陈凯  张文俊  余志平
作者单位:清华大学微电子所,CAD研究室,北京,100084
基金项目:国家重点基础研究发展规划(973计划) 
摘    要:Σ-Δ调制器是常用于混合信号电路中的一个关键模块.基于一个的二阶低通调制器,对包括非理想开关、色噪声模型、非线性运放直流增益和多比特量化器中的电容适配在内的非理想效应,进行了分析和建模.该调制器在HJTC 0.18μm工艺下实现并进行了流片测试.通过对行为级仿真和实际测试数据的对比,验证了提出的高层次建模方法,可以准确高效地指导调制器系统级和电路级设计.

关 键 词:Σ-Δ  调制器  运放非理想特性  电容失配  高层次建模
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