| 短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压 |
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| 引用本文： | 曾云,李晓磊,张燕,张国樑,王太宏.短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压[J].功能材料与器件学报,2008,14(4). |
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| 作者姓名： | 曾云 李晓磊 张燕 张国樑 王太宏 |
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| 作者单位： | 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082;湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082;空军第一航空学院四系,信阳,464000 |
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| 摘 要： | 提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
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| 关 键 词： | 短沟道 绝缘衬底上硅 双极MOS场效应晶体管 阈值电压 |
Threshold voltage in short-channel SOI BJMOSFET |
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| ZENG Yun,LI Xiao-lei,ZHANG Yan,ZHANG Guo-liang,WANG Tai-hong.Threshold voltage in short-channel SOI BJMOSFET[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(4). |
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| Authors: | ZENG Yun LI Xiao-lei ZHANG Yan ZHANG Guo-liang WANG Tai-hong |
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