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单极脉冲法沉积聚3,4-乙烯二氧噻吩及其电容性能EI北大核心CSCD
引用本文:刘晓晓王媛媛杜海燕许玉玉.单极脉冲法沉积聚3,4-乙烯二氧噻吩及其电容性能EI北大核心CSCD[J].高分子材料科学与工程,2018(2):76-80.
作者姓名:刘晓晓王媛媛杜海燕许玉玉
作者单位:1.太原理工大学化学化工学院030024;
摘    要:聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)因具有非常高的离子电导率而被广泛研究。文中以EDOT为单体,采用单极脉冲法在不锈钢片基底上制备了PEDOT膜电极。考察了不同脉冲参数对PEDOT膜超级电容的影响。通过扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱表征PEDOT涂覆的不锈钢电极,确认了PEDOT由不规则的虚球体堆积成褶皱状结构,证实了Cl O4-成功掺杂于PEDOT膜中;通过循环伏安法、恒电流充电/放电和电化学阻抗谱得到:PEDOT电极展示出良好的比电容(128.64 F/g)、倍率性能和稳定性(循环2000次保留率达71.26%)。对于低成本、高性能的能量存储应用显示出相当大的潜力。

关 键 词:单极脉冲法  超级电容  聚3  4-乙烯二氧噻吩  循环伏安法  恒电流充放电  unipolar  pulse  method  supercapacitor  poly  (3  4-ethylenedioxythiophene)  cyclic  voltammetry  galvanostatic  charge/discharge
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