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单极脉冲法沉积聚3,4-乙烯二氧噻吩及其电容性能EI北大核心CSCD
引用本文:
刘晓晓王媛媛杜海燕许玉玉.单极脉冲法沉积聚3,4-乙烯二氧噻吩及其电容性能EI北大核心CSCD[J].高分子材料科学与工程,2018(2):76-80.
作者姓名:
刘晓晓王媛媛杜海燕许玉玉
作者单位:
1.太原理工大学化学化工学院030024;
摘 要:
聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)因具有非常高的离子电导率而被广泛研究。文中以EDOT为单体,采用单极脉冲法在不锈钢片基底上制备了PEDOT膜电极。考察了不同脉冲参数对PEDOT膜超级电容的影响。通过扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱表征PEDOT涂覆的不锈钢电极,确认了PEDOT由不规则的虚球体堆积成褶皱状结构,证实了Cl O4-成功掺杂于PEDOT膜中;通过循环伏安法、恒电流充电/放电和电化学阻抗谱得到:PEDOT电极展示出良好的比电容(128.64 F/g)、倍率性能和稳定性(循环2000次保留率达71.26%)。对于低成本、高性能的能量存储应用显示出相当大的潜力。
关 键 词:
单极脉冲法
超级电容
聚3
4-乙烯二氧噻吩
循环伏安法
恒电流充放电
unipolar
pulse
method
supercapacitor
poly
(3
4-ethylenedioxythiophene)
cyclic
voltammetry
galvanostatic
charge/discharge
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