聚吡咯包覆NiCo_2S_4纳米管阵列的制备及其赝电容性能北大核心CSCD

使用两步水热法在泡沫镍表面生长NiCo_2S_4纳米管阵列,再通过电化学聚合技术将聚吡咯包覆在NiCo_2S_4纳米管表面形成核壳式复合材料。通过多种手段表征复合材料的物相与微结构,表明管外径约130nm,管壁厚约15nm,聚吡咯包覆膜平均厚度约8nm。研究聚吡咯包覆对NiCo_2S_4纳米管赝电容性能的影响,揭示聚吡咯改善了NiCo_2S_4纳米管的比电容、充放电性能、倍率性能和循环性能。放电比容量与未包覆的相比从1123F·g^(-1)增长到1524F·g^(-1),增加了36%;3000次循环后,聚吡咯包覆NiCo_2S_4仍释放比容量1096F·g^(-1),相比于第一次的保持率为78.5%,而未包覆的比容量只有22%的保持率。赝电容性能的改善主要是由于聚吡咯提高了NiCo_2S_4纳米管的电导率和结构稳定性。