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| Fe催化生长β-SiC纳米分支结构北大核心CSCD | |
| 引用本文： | 王秋实吴宛泽谢永辉王维龙.Fe催化生长β-SiC纳米分支结构北大核心CSCD[J].真空科学与技术学报,2018(9):786-790. |
| 作者姓名： | 王秋实吴宛泽谢永辉王维龙 |
| 作者单位： | 1.渤海大学新能源学院121013; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(11504028) |
| 摘 要： | 采用直流电弧等离子辅助法合成了β-SiC纳米分支结构。用扫描电镜和透射电镜,X射线电子能谱和拉曼光谱等对样品进行表征,发现分级生长的SiC纳米线为单晶结构,沿<111>方向生长。β-SiC纳米分支结构通过气-液-固(VSL)机制合成。β-SiC纳米分支结构在425 nm处有一个强的发光峰。 |
| 关 键 词： | 纳米分支结构 等离子辅助 真空电弧 β-SiC |
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