| Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除 |
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| 引用本文： | 吕衍秋,越方禹,洪学鹍,陈江峰,韩冰,吴小利,龚海梅,Lü Yanqiu,Yue Fangyu,Hong Xuekun,Chen Jiangfeng,Han Bing,Wu Xiaoli,Gong Haimei. Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除[J]. 半导体学报, 2007, 28(1) |
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| 作者姓名： | 吕衍秋 越方禹 洪学鹍 陈江峰 韩冰 吴小利 龚海梅 Lü Yanqiu Yue Fangyu Hong Xuekun Chen Jiangfeng Han Bing Wu Xiaoli Gong Haimei |
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| 基金项目： | 江苏省教育厅高校自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了Ar 刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar 刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAs PL强度增加,而n-InP和p-InP PL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar 刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.
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| 关 键 词： | Ar 刻蚀 InGaAs InP 湿法腐蚀 表面损伤 刻蚀 InGaAs 表面损伤 Removal Damage Surface 严重 含量 表面原子 样品 情况 分析 强度 均方根粗糙度 处理 湿法腐蚀 研究 |
Surface Damage and Removal of Ar+ Etched InGaAs,n-InP and p-InP |
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| Yue Fangyu,Hong Xuekun,Chen Jiangfeng,Han Bing,Wu Xiaoli,Gong Haimei. Surface Damage and Removal of Ar+ Etched InGaAs,n-InP and p-InP[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(1) |
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| Authors: | Yue Fangyu Hong Xuekun Chen Jiangfeng Han Bing Wu Xiaoli Gong Haimei |
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