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128元非致冷氧化钒红外探测器的制作
引用本文:王宏臣,易新建,陈四海,黄光,肖静.128元非致冷氧化钒红外探测器的制作[J].红外与毫米波学报,2004,23(2):99-102.
作者姓名:王宏臣  易新建  陈四海  黄光  肖静
作者单位:华中科技大学激光国家重点实验室,湖北,武汉,430074;华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉,430074;华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉,430074
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目 (60 10 60 0 3 )
摘    要:采用新工艺在氮化硅衬底上制备了室温时电阻温度系数为 - 0 .0 2 1K-1的氧化钒薄膜 ,以此为基础 ,利用光刻和反应离子刻蚀工艺在硅衬底上制作了 12 8元氧化钒红外探测器 .为了降低探测器敏感元与衬底间的热导 ,设计制作了自支撑的微桥结构阵列 .测试结果显示探测器的响应率和探测率在 8~ 12 μm的长波红外波段处分别达到10 4V/W和 2× 10 8cmHz1/ 2 W-1.

关 键 词:红外探测器  微桥结构  微桥阵列  非致冷  氧化钒薄膜
文章编号:1001-9014(2004)02-0099-04
收稿时间:2003/8/17

FABRICATION OF 128-ELEMENT UNCOOLED VO_x THERMAL IR DETECTORS
WANG Hong Chen,YI Xin Jian,CHEN Si Hai,HUANG Guang,XIAO Jing.FABRICATION OF 128-ELEMENT UNCOOLED VO_x THERMAL IR DETECTORS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2004,23(2):99-102.
Authors:WANG Hong Chen  YI Xin Jian  CHEN Si Hai  HUANG Guang  XIAO Jing
Abstract:A new method fabricating Vanadium oxides thin films on Si 3N 4 substrates has been completed, and the temperature coefficient resistance of the thin film has been found to be -0.021K -1 at room temperature. Based on the method, 128 element linear uncooled infrared detector arrays are fabricated utilizing pattern and reactive ion etching process. Self supporting microbridge array has also been designed and fabricated to reduce the thermal conductance between the active area of detectors and the silicon substrate. Test indicates the responsivity and detectivity of detectors approaching 10 4V/W and 2×10 8cm Hz1/2 W-1 in 8~12μm IR radiation band, respectively.
Keywords:IR detectors  microbridge structure  microbridge arrays  uncooled  vanadium oxides thin film
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