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| 1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器 | |
| 引用本文： | 张济志,王圩,张静媛,汪孝杰,李力,朱洪亮,王志杰,周帆,马朝华.1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器[J].半导体学报,1996,17(3):231-235. |
| 作者姓名： | 张济志 王圩 张静媛 汪孝杰 李力 朱洪亮 王志杰 周帆 马朝华 |
| 作者单位： | 国家光电子工艺中心，集成光电子学国家重点联合实验室，中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象． |
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