压痕诱发单晶硅非晶化相变的透射电镜观察 |
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作者姓名: | 吴亚桥 徐永波 |
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作者单位: | 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,固体原子像开放研究实验室,沈阳,110015 |
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摘 要: | 晶体硅在高压下会发生相变[1]。显微压痕实验能够产生极大的压强(GPa级),有可能诱发硅的相变[2]。Clarke等人首次利用透射电子显微镜(TEM)在微观尺度上给出了单晶硅上维氏显微压痕的平视形貌像(plan-view)[3],指出压痕中心已经发生...
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关 键 词: | 压痕诱发 TEM 单晶硅 非晶化相变 |
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