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电子束光刻制备5000line/mm光栅掩模关键技术研究
引用本文:朱效立,谢常青,赵珉,陈宝钦,叶甜春,牛洁斌,张庆钊,刘明.电子束光刻制备5000line/mm光栅掩模关键技术研究[J].微细加工技术,2008(4).
作者姓名:朱效立  谢常青  赵珉  陈宝钦  叶甜春  牛洁斌  张庆钊  刘明
作者单位:中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029
基金项目:国家基础科学重大研究计划,国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:为了制备高线密度X射线透射光栅掩模,分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响;利用几何校正技术和低灵敏度的950 k的PMMA电子束抗蚀剂,克服了电子束的邻近效应对厚胶图形曝光的影响.采用电子束光刻和微电镀的方法制备了5 000line/mm x射线透射光栅的掩模,并将栅线宽度精确控制在100 nm~110 nm,为X射线光刻复制高线密度X射线透射光栅创造了有利条件.

关 键 词:电子束光刻  X射线透射光栅  邻近效应校正  X射线光刻

Key Technology for Fabrication of 5000line/mm Gratings Mask by Using E-beam Lithography
ZHU Xiao-li,XIE Chang-qing,ZHAO Min,CHEN Bno-qin,YE Tian-chun,NIU Jie-bin,ZHANG Qing-zhao,LIU Ming.Key Technology for Fabrication of 5000line/mm Gratings Mask by Using E-beam Lithography[J].Microfabrication Technology,2008(4).
Authors:ZHU Xiao-li  XIE Chang-qing  ZHAO Min  CHEN Bno-qin  YE Tian-chun  NIU Jie-bin  ZHANG Qing-zhao  LIU Ming
Affiliation:ZHU Xiao-li,XIE Chang-qing,ZHAO Min,CHEN Bao-qin,YE Tian-chun,NIU Jiebin,ZHANG Qing-zhao,LIU Ming(Key Lab of Nano-fabrication , Novel Devices Integrated Technology,Instituteof Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)
Abstract:
Keywords:E-beam lithography  X-ray transmission gratings  proximity effect correction  X-ray lithography  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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