| 氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 薛成山,王福学,庄惠照,张晓凯,艾玉杰,孙丽丽,陈金华,秦丽霞. 氨化Si基Ga2O3/In2O3制备GaN薄膜[J]. 功能材料, 2007, 38(10): 1632-1634 |
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| 作者姓名： | 薛成山 王福学 庄惠照 张晓凯 艾玉杰 孙丽丽 陈金华 秦丽霞 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014;山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014 |
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| 摘 要： | 研究了Ga2O3/In2O3 膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射 (XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析.测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好.
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| 关 键 词： | GaN Ga2O3/In2O3 氨化 磁控溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）10-1632-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-13 |
Formation of GaN films by ammoniating Ga2O3 films on In2O3 layer eeposited on Si(111) substrates |
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| XUE Cheng-shan,WANG Fu-xue,ZHUAN Hui-zhao,ZHANG Xiao-kai,AI Yu-jie,SUN Li-li,CHEN Jin-hua,QIN Li-xia. Formation of GaN films by ammoniating Ga2O3 films on In2O3 layer eeposited on Si(111) substrates[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(10): 1632-1634 |
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| Authors: | XUE Cheng-shan WANG Fu-xue ZHUAN Hui-zhao ZHANG Xiao-kai AI Yu-jie SUN Li-li CHEN Jin-hua QIN Li-xia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN Ga2O3/In2O3 ammoniating magnetron sputtering |
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