| THz量子级联激光器的材料生长和器件制作 |
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| 引用本文： | 韩英军 黎华 谭智勇 曹俊诚. THz量子级联激光器的材料生长和器件制作[J]. 功能材料, 2007, 38(A01): 11-12 |
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| 作者姓名： | 韩英军 黎华 谭智勇 曹俊诚 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 |
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| 基金项目： | 基金项目：国家杰出青年基金资助项目（60425415）;上海市基础研究重大资助项目（06dj14008） |
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| 摘 要： | 采用分子束外延的方法，生长了GaAs／Al0.17Ga0.85As基共振声子辅助跃迁的太赫兹量子级联激光器结构，并按照单面金属波导的工艺进行了器件制作。材料的结构由高分辨X射线衍射来确定。在温度为9-150K的范围内，测量了器件的I-V曲线。
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| 关 键 词： | 太赫兹 量子级联激光器 分子束外延 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-0011-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-27 |
THz quantum cascade laser-material growth and device fabrication |
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| HAN Ying-jun, LI Hua, TAN Zhi-yong, CA Jun-cheng. THz quantum cascade laser-material growth and device fabrication[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A01): 11-12 |
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| Authors: | HAN Ying-jun LI Hua TAN Zhi-yong CA Jun-cheng |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China |
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| Abstract: | We have grown GaAs/Al0.17Ga0.85As structures of resonant-phonon-assisted terabertz quantum-cascade lasers by molecular beam epitaxy and fabricated devices with single metal waveguides. Structural parameters were guaranteed by high resolution X-ray diffraction. Current-voltage curves were measured from 9K to 150K. |
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| Keywords: | tera-hertz quantum cascade laser molecular beam epitaxy |
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