| a-C:H(N)薄膜的制备及性能 |
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| 引用本文： | 程宇航,吴一平,陈建国. a-C:H(N)薄膜的制备及性能[J]. 无机材料学报, 1999, 14(4): 601-606 |
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| 作者姓名： | 程宇航 吴一平 陈建国 |
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| 作者单位： | 华中理工大学材料科学与工程系!武汉430074(程宇航，吴一平，陈建国，乔学亮，谢长生)，华中理工大学激光技术国家重点实验室!武汉430074(许德胜) |
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| 基金项目： | 华中理工大学模具技术国家重点实验室和激光技术国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用射频－直流等离子化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２、Ｎ２和Ａｒ组成的混合气体制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜，研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性。实验结果表明，ａ－Ｃ：：Ｈ（Ｎ）薄膜的沉积速率随混合气体中Ｃ２Ｈ２含量的增加而增大，当混合气体中Ｎ２含量增加到７５％时，薄膜的含氮量增大到９．０９％。薄膜中Ｃ、Ｎ原子以Ｃ≡Ｎ和Ｃ－Ｎ键的形式存在，结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率。
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| 关 键 词： | C：H（N）薄膜 化学气相沉积 制备 工艺 电阻率 |
| 收稿时间： | 1998-08-10 |
| 修稿时间： | 1998-09-10 |
Deposition and Properties of a C:H(N) Films |
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| CHENG Yu-Hang,WU Yi-Ping,CHEN Jian-Guo,QIAO Xue-Liang,XIE Cang-Sheng,XU De-Sheng. Deposition and Properties of a C:H(N) Films[J]. Journal of Inorganic Materials, 1999, 14(4): 601-606 |
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| Authors: | CHENG Yu-Hang WU Yi-Ping CHEN Jian-Guo QIAO Xue-Liang XIE Cang-Sheng XU De-Sheng |
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| Affiliation: | 1.DepartofMaterialsScienceandEngineering;HuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan430074China;2.StateKeyLaboratoryofLaserTechnology,HuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan430074China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a C:H(N) films plasma enhanced chemical vapor deposition deposition process direct current resistivity |
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