MMC子模块中IGBT的过热失效机理研究

分析了基于试验与理论的IGBT过热失效过程。首先从理论上分析IGBT过热失效机理,提出解析模型及物理模型从理论验证失效过程;基于理论基础,给出IGBT过热老化试验结果,展示IGBT热积累过程是如何导致最终失效的结果;试验结果表明:MMC子模块IGBT结温突变是导致实际工程中过热失效最主要的原因。