| 应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究 |
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| 引用本文： | 俞波,韩军,李建军,盖红星,牛南辉,邓军,邢艳辉,廉鹏,沈光地. 应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究[J]. 半导体光电, 2005, 26(3): 232-234,243 |
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| 作者姓名： | 俞波 韩军 李建军 盖红星 牛南辉 邓军 邢艳辉 廉鹏 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 摘 要： | 采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1 300 nm波段的新型长波长半导体光电子材料.
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| 关 键 词： | 应变量子阱 光增益 GaInNAs |
| 文章编号： | 1001-5868(2005)03-0232-03 |
Gain Characteristics of Strained GaInNAs/GaAs Quantum Well |
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| YU Bo,HAN Jun,LI Jian-jun,GAI Hong-xing,NIU Nan-hui,DENG Jun,XING Yan-hui,LIAN Peng,SHEN Guang-di. Gain Characteristics of Strained GaInNAs/GaAs Quantum Well[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2005, 26(3): 232-234,243 |
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| Authors: | YU Bo HAN Jun LI Jian-jun GAI Hong-xing NIU Nan-hui DENG Jun XING Yan-hui LIAN Peng SHEN Guang-di |
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| Abstract: | The energy band structure of GaInNAs was analyzed by approximate method, and the energy level distribution of the strained GaInNAs/GaAs quantum well was calculated and discussed in detail.Further,the optical gain spectrum of strained GaInNAs/GaAs quantum well was explained.It is shown that GaInNAs is a promise material for long wavelength semiconductor optoelectronic devices. |
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| Keywords: | strained quantum well optical gain GaInNAs |
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