| Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究 |
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| 引用本文： | 马书懿,王印月,刘雪芹.Au/(Si/SiO2)/p型Si结构的可见电致发光研究[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):354-356. |
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| 作者姓名： | 马书懿 王印月 刘雪芹 |
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| 作者单位： | 1. 西北师范大学物理系,兰州,730070;兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000
2. 兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金，甘肃省教育厅科研项目，9557，981-17，， |
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| 摘 要： | Ｓｉ／ＳｉＯ２薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于５Ｖ时即可观测到来自不同Ｓｉ层厚度的Ａｕ／（Ｓｉ／ＳｉＯ２）／ｐ－Ｓｉ结构在室温下的可见电致发光，其发光谱峰位均位于６６０ｎｍ处，测得的各种储藏坟下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。突验结果表明光发射主要来自于ＳｉＯ２层中的发光中心上的复合发光。
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| 关 键 词： | Si／SiO2薄膜 电致发光 发光中心 复合发光 |
| 修稿时间： | 2000-07-01 |
Visible electroluminescence from Au/(Si/SiO2)/p-Si structure |
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| MA Shu-yi,WANG Yin-yue,LIU Xue-qin.Visible electroluminescence from Au/(Si/SiO2)/p-Si structure[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(4):354-356. |
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| Authors: | MA Shu-yi WANG Yin-yue LIU Xue-qin |
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| Abstract: | Si/SiO 2 films have been grown using the RF magnetron sputtering technique. Visible electroluminescence(EL) has been observed from Au film/ (Si/SiO 2)/p Si structures at a forward bias above 5V. Electroluminescence peak located around 660nm for all the structures,and the EL peak positions depend hardly on the thicknesses of Si layers and the increasing of import power. The experimental results indicated that light emission originates mainly from the luminescence centres in the SiO 2 layers. |
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| Keywords: | Si/SiO 2 films Electroluminescence Luminescence centre |
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