| 长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命 |
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| 引用本文： | 邵式平,薛南屏,肖绍泽,郭云成,庄维莎,邵康. 长波红外材料n型Hg_(1-x)Cd_xTe载流子寿命[J]. 红外技术, 1999, 0(2) |
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| 作者姓名： | 邵式平 薛南屏 肖绍泽 郭云成 庄维莎 邵康 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所 |
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| 摘 要： | 测量了３种不同生长方法（加速坩埚旋转布里奇曼法、固态再结晶法和改进的布里奇曼生长大直径晶体法）制备的长波红外蹄镉汞晶体（块晶）载流子寿命的温度变化关系，与窄禁带半导体载流子复合机构的理论计算结果比较表明，优质晶体中是以带间碰撞复合为主。
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| 关 键 词： | 载流子寿命，复合机构，碲镉汞材料，SPRITE探测器 |
Carrier Lifetime in n-type Hg1-x CdxTe as LWIR Detector Materials |
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| Shao Shiping, Xue Nanping, Xiao Shaoze, Guo Yuncheng, Zhuang Weisha, Shao Kang. Carrier Lifetime in n-type Hg1-x CdxTe as LWIR Detector Materials[J]. Infrared Technology, 1999, 0(2) |
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| Authors: | Shao Shiping Xue Nanping Xiao Shaoze Guo Yuncheng Zhuang Weisha Shao Kang |
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| Keywords: | Carrier Iifetime Recombination mechanism HgCdTe SPRITE detectors |
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