| 栅极电阻对GaN MOSFET瞬态特性的影响研究 |
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| 引用本文： | 蒋丽华,罗霞,廖勇,罗海军,龙兴明.栅极电阻对GaN MOSFET瞬态特性的影响研究[J].微电子学,2020,50(5):726-731. |
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| 作者姓名： | 蒋丽华 罗霞 廖勇 罗海军 龙兴明 |
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| 作者单位： | 重庆城市管理职业学院, 重庆 401331;重庆师范大学 物理与电子工程学院, 重庆 401331 |
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| 基金项目： | 重庆市自然科学基金面上项目(cstc2019jcyj-msxmX0490) |
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| 摘 要： | 为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MOSFET的瞬态电流值,且与理论值对比,验证栅极电阻带来的影响。实验结果表明,GaN MOSFET的瞬态电流值实验值与理论值基本吻合,在导通和关断时,GaN MOSFET的输出瞬态电流和输出电流的高频震荡均随栅极电阻的增加而减小。栅极电阻从10 Ω变化到100 Ω时,导通时开关速率上升率占总开关速率上升率的84.7%,关断时开关速率下降率占总开关速率下降率的54.06%。在栅极电阻为10~100 Ω范围内,GaN MOSFET具有较快的开关速度。
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| 关 键 词： | GaN MOSFET 栅极电阻 瞬态电流 |
| 收稿时间： | 2020/4/30 0:00:00 |
Study on Influence of Gate Impedance on Transient Characteristics of GaN MOSFET |
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| JIANG Lihu,LUO Xi,LIAO Yong,LUO Haijun,LONG Xingming.Study on Influence of Gate Impedance on Transient Characteristics of GaN MOSFET[J].Microelectronics,2020,50(5):726-731. |
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| Authors: | JIANG Lihu LUO Xi LIAO Yong LUO Haijun LONG Xingming |
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