| 埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究 |
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| 引用本文： | 蔡浩,张霞,王斌,谭开洲.埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究[J].微电子学,2020,50(5):755-760. |
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| 作者姓名： | 蔡浩 张霞 王斌 谭开洲 |
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| 作者单位： | 重庆邮电大学 光电工程学院, 重庆 400065;模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802180503) |
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| 摘 要： | 对埋栅型静电感应晶体管(SIT)和垂直双扩散MOSFET(VDMOS)的抗单粒子烧毁(SEB)能力进行了仿真对比研究。利用Medici软件,仿真得到两种器件发生SEB效应前后的漏极电流响应和发生单粒子烧毁效应的临界漏极偏压。仿真结果表明,SIT与VDMOS两种器件常态击穿分别为580 V和660 V,在栅极关断电压为-10 V下,SIT的单粒子烧毁效应临界漏极电压为440 V,远高于VDMOS关断时230 V的临界漏极电压；SIT发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-3 A/μm,而VDMOS发生SEB效应时的漏极电流数量级为10-4 A/μm,SIT在抗SEB效应方面比VDMOS具有更大的优势。同类研究少见文献报道。对埋栅SIT样品进行了试制,样品击穿电压为530 V。
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| 关 键 词： | 静电感应晶体管 垂直双扩散MOSFET 单粒子烧毁效应 Medici |
| 收稿时间： | 2019/11/13 0:00:00 |
Comparative Study on Single-Event Burnout Effect of Buried-Gate Static Induction Transistor and Vertical Double-Diffused MOSFET |
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| CAI Hao,ZHANG Xi,WANG Bin,TAN Kaizhou.Comparative Study on Single-Event Burnout Effect of Buried-Gate Static Induction Transistor and Vertical Double-Diffused MOSFET[J].Microelectronics,2020,50(5):755-760. |
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| Authors: | CAI Hao ZHANG Xi WANG Bin TAN Kaizhou |
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| Affiliation: | College of Optoelectronic Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China;The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China |
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