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牵引用3 300 V平面栅IGBT栅极台面结构研究
引用本文:肖强,梁利晓,朱利恒,覃荣震,罗海辉.牵引用3 300 V平面栅IGBT栅极台面结构研究[J].微电子学,2020,50(5):715-719, 725.
作者姓名:肖强  梁利晓  朱利恒  覃荣震  罗海辉
作者单位:株洲中车时代半导体有限公司, 湖南 株洲 412001
基金项目:国家重点研发计划资助项目(2018YFB1201802)
摘    要:针对机车牵引用3 300 V/1 500 A IGBT功率模块,采用TCAD仿真工具研究了不同栅极结构对器件静态和动态参数的影响。当平面栅IGBT采用栅极台面结构且台面厚度逐渐降低时,器件的静态阻断电压提高,开关损耗降低,但是器件的开关时间增加;此外,关断时过快的dv/dt会引起栅极电压振荡,开启时过快的di/dt会引起很大的电流过冲,导致器件应用的可靠性降低。在机车牵引的应用环境下,IGBT的栅极结构参数需要从电学参数和可靠性两个方面进行折中设计。

关 键 词:机车牵引    平面栅IGBT    台面结构    可靠性
收稿时间:2019/12/31 0:00:00
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