基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究 |
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引用本文: | 杨镓溢,王旭光,秦文龙,杨亮亮.基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究[J].微电子学,2021,51(3):347-350. |
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作者姓名: | 杨镓溢 王旭光 秦文龙 杨亮亮 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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摘 要: | 介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺。分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象。通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成。该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓宽具有参考价值。
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关 键 词: | 薄膜混合集成电路 金铝键合 层结构 |
收稿时间: | 2020/10/28 0:00:00 |
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