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| 一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件 | |
| 作者姓名： | 李孟窈 刘云涛 蒋忠林 |
| 作者单位： | 哈尔滨工程大学 信息与通信工程学院, 哈尔滨 150001 |
| 基金项目： | 黑龙江省自然科学基金资助项目(JJ2018ZR1021) |
| 摘 要： | 提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件.针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案.利用Sentaurus TCAD软件,采用Insulator Fixed Charge模型设置固定电荷密度,基于0.18 μm ... |
| 关 键 词： | STI PD SOI NMOS 总剂量辐照 S栅体接触 kink效应 |
| 收稿时间： | 2020-03-06 |
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