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一种高性能的亚阈值CMOS电压基准
引用本文:王远飞,罗萍,杨健,唐天缘,杨秉中. 一种高性能的亚阈值CMOS电压基准[J]. 微电子学, 2021, 51(2): 163-167
作者姓名:王远飞  罗萍  杨健  唐天缘  杨秉中
作者单位:电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都 610053
基金项目:预研基金资助项目(1126190601A)
摘    要:基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种高性能的亚阈值CMOS电压基准。提出了一个电压减法电路,将两个具有不同阈值电压且工作在亚阈值区晶体管的栅源电压差作为电压基准输出。所提出的电压减法电路还可以很好地消除电源电压变化对输出基准的影响。后仿仿真结果表明,所设计的电压基准在0.55~1.8 V电源电压范围内,线性灵敏度为0.053%/V~0.121%/V;在-20 ℃~80 ℃范围内,温度系数为9.5×10-6/℃~3.49×10-5/℃;在tt工艺角、0.55 V电源电压下,电源抑制比为-65 dB@100 Hz,功耗为3.7 nW。芯片面积为0.008 2 mm2。该电路适用于能量采集、无线传感器等低功耗应用。

关 键 词:CMOS电压基准   电压减法电路   亚阈值区   低功耗应用
收稿时间:2020-06-21

A High Performance Sub-Threshold CMOS Voltage Reference
WANG Yuanfei,LUO Ping,YANG Jian,TANG Tianyuan,YANG Bingzhong. A High Performance Sub-Threshold CMOS Voltage Reference[J]. Microelectronics, 2021, 51(2): 163-167
Authors:WANG Yuanfei  LUO Ping  YANG Jian  TANG Tianyuan  YANG Bingzhong
Affiliation:School of Elec. Sci. and Engineer., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610053, P. R. China
Abstract:
Keywords:CMOS voltage reference   voltage subtraction circuit   sub-threshold region   low power application
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