| 针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模 |
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| 引用本文： | 杨双,石新新,伍宏,粟雅娟,董立松,陈睿,张利斌,苏晓菁,陈颖,盖天洋,郭成,屈通,韦亚一.针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模[J].微电子学,2020,50(5):732-737. |
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| 作者姓名： | 杨双 石新新 伍宏 粟雅娟 董立松 陈睿 张利斌 苏晓菁 陈颖 盖天洋 郭成 屈通 韦亚一 |
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| 作者单位： | 中国科学院大学, 北京 100049;中芯国际集成电路制造有限公司, 上海 201203;中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心, 北京100029;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院, 广州 510535;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心, 北京100029;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院微电子研究所 集成电路先导工艺研发中心, 北京100029;中国科学院微电子研究所 微电子器件与集成技术重点实验室, 北京 100029;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院, 广州 510535 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61804174)；国家重大专项资助项目(2017ZX02315001)；国家科技重大专项资助项目(2017ZX02101004) |
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| 摘 要： | 基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。
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| 关 键 词： | 热耦合模型 热传输比率 金属线 有源区 电迁移 |
| 收稿时间： | 2019/10/29 0:00:00 |
Thermal Coupling Modeling for More AccurateElectromigration Prediction |
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| YANG Shuang,SHI Xinxin,WU Hong,SU Yajuan,DONG Lisong,CHEN Rui,ZHANG Libin,SU Xiaojing,CHEN Ying,GAI Tianyang,GUO Cheng,QU Tong,WEI Yayi.Thermal Coupling Modeling for More AccurateElectromigration Prediction[J].Microelectronics,2020,50(5):732-737. |
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| Authors: | YANG Shuang SHI Xinxin WU Hong SU Yajuan DONG Lisong CHEN Rui ZHANG Libin SU Xiaojing CHEN Ying GAI Tianyang GUO Cheng QU Tong WEI Yayi |
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| Affiliation: | University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China;Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai 201203, P.R.China;Integrated Circuits Advanced Process R&D Center, IMECAS, Beijing 100029, P.R.China;Institute of Integrated Circuits and Systems Applications, Dawan District, Guangdong Province, Guangzhou 510535, P.R.China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P.R.China;Integrated Circuits Advanced Process R&D Center, IMECAS, Beijing 100029, P.R.China; University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, P. R. China; Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai 201203, P. R. China; Integrated Circuits Advanced Process R&D Center, IMECAS, Beijing 100029, P. R. China; Key Laboratory of Microelectronic Devices &Integrated Technology, IMECAS, Beijing 100029, P. R. China; Institute of Integrated Circuits and Systems Applications, Dawan District, Guangdong Province, Guangzhou 510535, P. R. China |
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