| 一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT |
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| 引用本文： | 乔杰,冯全源. 一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT[J]. 微电子学, 2021, 51(3): 404-408 |
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| 作者姓名： | 乔杰 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目(61531016,61831017)；四川省重大科技专项项目(19ZDYF2904,2018ZDZX0148,2018GZDZX0001) |
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| 摘 要： | 为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(P-GaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构.该器件的阈值电压高达3.4 V,击穿电压达738 V.利用Sentaurus TCAD进行仿真,对比了传统P-GaN栅与P-GaN栅结合槽栅的AlGaN/GaN/AlGa...
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| 关 键 词： | P-GaN栅极 双异质结 槽栅 阈值电压 击穿电压 |
| 收稿时间： | 2020-07-10 |
An Enhanced HEMT Using P-GaN Gate Combined with Recessed-Gate Technology |
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| QIAO Jie,FENG Quanyuan. An Enhanced HEMT Using P-GaN Gate Combined with Recessed-Gate Technology[J]. Microelectronics, 2021, 51(3): 404-408 |
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| Authors: | QIAO Jie FENG Quanyuan |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, SouthwestJiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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