| 基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究 |
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| 引用本文： | 李明浩,王俊强,李孟委.基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究[J].微电子学,2021,51(2):265-269. |
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| 作者姓名： | 李明浩 王俊强 李孟委 |
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| 作者单位： | 中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051;中北大学 前沿交叉学科研究院, 太原 030051;中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051;中北大学 前沿交叉学科研究院, 太原 030051;中北大学 南通智能光机电研究院, 江苏 南通 226000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61804137);"173计划"基金资助项目(2017JCJQZD00604) |
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| 摘 要： | 针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155 μm、直径为41 μm的TSV结构。使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了TSV结构内部的缺陷分布和填充情况。测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10-3 Ω,孔内完全填充,没有空洞。该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法。
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| 关 键 词： | 硅通孔 微机电系统封装 双面盲孔电镀 深反应离子刻蚀 |
| 收稿时间： | 2020/9/2 0:00:00 |
Research on Through Silicon Via Process Based on Double-Sided Blind Via Plating |
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| LI Minghao,WANG Junqiang,LI Mengwei.Research on Through Silicon Via Process Based on Double-Sided Blind Via Plating[J].Microelectronics,2021,51(2):265-269. |
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| Authors: | LI Minghao WANG Junqiang LI Mengwei |
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| Affiliation: | School of Instrument and Electronics, North University of China, Taiyuan 030051, P.R.China;Academy for Advanced Interdisciplinary Research, North University of China, Taiyuan 030051, P.R.China; School of Instrument and Electronics, North University of China, Taiyuan 030051, P. R. China;Academy for Advanced Interdisciplinary Research, North University of China, Taiyuan 030051, P. R. China;Nantong Institute of Intelligent Opto-Mechatronics, North University of China, Nantong, Jiangsu 226000, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | through silicon via (TSV) micro-electromechanical system (MEMS) packaging double-sided blind via plating deep reactive ion etching (DRIE) |
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