| 基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究 |
| |
| 引用本文： | 李明浩,王俊强,李孟委. 基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究[J]. 微电子学, 2021, 51(2): 265-269 |
| |
| 作者姓名： | 李明浩 王俊强 李孟委 |
| |
| 作者单位： | 中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051;中北大学 前沿交叉学科研究院, 太原 030051;中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051;中北大学 前沿交叉学科研究院, 太原 030051;中北大学 南通智能光机电研究院, 江苏 南通 226000 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61804137);"173计划"基金资助项目(2017JCJQZD00604) |
| |
| 摘 要： | 针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了 一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程.该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155 μm、直径为41μm的TSV结构.使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测...
|
| 关 键 词： | 硅通孔 微机电系统封装 双面盲孔电镀 深反应离子刻蚀 |
| 收稿时间： | 2020-09-02 |
Research on Through Silicon Via Process Based on Double-Sided Blind Via Plating |
| |
| LI Minghao,WANG Junqiang,LI Mengwei. Research on Through Silicon Via Process Based on Double-Sided Blind Via Plating[J]. Microelectronics, 2021, 51(2): 265-269 |
| |
| Authors: | LI Minghao WANG Junqiang LI Mengwei |
| |
| Affiliation: | School of Instrument and Electronics, North University of China, Taiyuan 030051, P.R.China;Academy for Advanced Interdisciplinary Research, North University of China, Taiyuan 030051, P.R.China; School of Instrument and Electronics, North University of China, Taiyuan 030051, P. R. China;Academy for Advanced Interdisciplinary Research, North University of China, Taiyuan 030051, P. R. China;Nantong Institute of Intelligent Opto-Mechatronics, North University of China, Nantong, Jiangsu 226000, P. R. China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | through silicon via (TSV) micro-electromechanical system (MEMS) packaging double-sided blind via plating deep reactive ion etching (DRIE) |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载全文 |
|
