| 一种基于Cascode GaN E-HEMT的单相逆变电路 |
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| 引用本文： | 李昊桐,陈雷雷,李金晓,顾晓峰. 一种基于Cascode GaN E-HEMT的单相逆变电路[J]. 微电子学, 2020, 50(6): 828-834 |
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| 作者姓名： | 李昊桐 陈雷雷 李金晓 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504050)；江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目(KYCX18_1855)； 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510) |
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| 摘 要： | 首先测试了Cascode结构的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(GaN E-HEMT)的输出、转移特性曲线,分析了导通电阻、输入电容等影响开关特性的电参数。接着分析了单相逆变电路结构,研究表明,采用GaN E-HEMT可极大地减小单相逆变电路的输出滤波电容、电感的体积。最后,比较分析了影响Cascode GaN E-HEMT和Si基MOSFET的损耗参数,并基于这两种器件结构分别搭建了两种单相逆变电路。测试结果表明,工作频率为8~90 kHz时,基于Cascode GaN E-HEMT的逆变电路的转换效率为90%以上,温度维持于25.3 ℃~29.3 ℃范围。基于Cascode GaN E-HEMT的逆变电路的总体性能优于基于Si基MOSFET的逆变电路。
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| 关 键 词： | GaN E-HEMT 共源共栅 单相逆变电路 功率损耗 转换效率 |
| 收稿时间： | 2019-12-16 |
A Single Phase Inverter Circuit Based on Cascode GaN E-HEMT |
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| LI Haotong,CHEN Leilei,LI Jinxiao,GU Xiaofeng. A Single Phase Inverter Circuit Based on Cascode GaN E-HEMT[J]. Microelectronics, 2020, 50(6): 828-834 |
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| Authors: | LI Haotong CHEN Leilei LI Jinxiao GU Xiaofeng |
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| Affiliation: | Engineering Research Center of IoT Technology Applications Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China |
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