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| 一种基于Cascode GaN E-HEMT的单相逆变电路 | |
| 作者姓名： | 李昊桐 陈雷雷 李金晓 顾晓峰 |
| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61504050);江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目(KYCX18_1855); 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(JUSRP51510) |
| 摘 要： | 首先测试了Cascode结构的氮化镓增强型高电子迁移率晶体管(GaN E-HEMT)的输出、转移特性曲线,分析了导通电阻、输入电容等影响开关特性的电参数.接着分析了单相逆变电路结构,研究表明,采用GaN E-HEMT可极大地减小单相逆变电路的输出滤波电容、电感的体积.最后,比较分析了影响Cascode GaN E-HE... |
| 关 键 词： | GaN E-HEMT 共源共栅 单相逆变电路 功率损耗 转换效率 |
| 收稿时间： | 2019-12-16 |
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