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惰性原子与氢化硅相互作用势性质研究的探讨
引用本文:庞礼军.惰性原子与氢化硅相互作用势性质研究的探讨[J].无线互联科技,2013(12):76-76.
作者姓名:庞礼军
作者单位:贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001
基金项目:贵州省教育厅自然科学研究项目(20090147); 贵州省科技厅与贵州师范大学联合基金(黔科合J字LKS[2010]06); 贵州省科学技术基金(黔科合J字[2013]2211号)
摘    要:探讨惰性原子与多原子分子相互作用势通常采用耦合簇理论CCSD(T)方法、以及量子化学从头计算的单双迭代,包含非迭代三重激发微扰的耦合簇CCSD(T)方法,使用相关一致基组aug-cc-pV5Z,并加键函数3s3p2d1f1g构成大基组,经过ab initio计算,得到势能面与散射面的一些重要结论,由于没有实验数据支撑,本文就其结果的精准性进一步探讨。

关 键 词:惰性原子  氢化硅  势能面  散射面
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