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| 高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究 | |
| 引用本文： | 卢殿通,张通和,苏颖,高愈尊.高剂量As注入单晶Si低温加热和高温电子束两步退火性能研究[J].半导体学报,1987,8(2):218-221. |
| 作者姓名： | 卢殿通 张通和 苏颖 高愈尊 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所 (卢殿通，张通和，苏颖)，北京有色金属研究总院(高愈尊) |
| 摘 要： | 本文研究高剂量As注入P-Si单晶,经过低温热退火和高温电子束扫描两步退火方式后的性能。用高压电子显微镜观察样品注入层的剩余缺陷,结果表明:只经过一步高温热退火或电子束退火的样品,剩余缺陷密度为10~3/cm~2以上,线缺陷长度为2-4μm,有位错环和位错网存在.两步退火后,样品注入层的缺陷密度降到10~7/cm~2量级,线缺陷长度小于0.5μm.位错网消失。 |
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