| 自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型 |
| |
| 引用本文： | 王静,邓先灿. 自升温效应下的GaAsMESFET大信号模型[J]. 半导体技术, 1999, 24(4): 15-18 |
| |
| 作者姓名： | 王静 邓先灿 |
| |
| 作者单位： | 杭州电子工业学院CAE所,杭州310037 |
| |
| 摘 要： | 分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度，结合器件电学参数随温度变化的特点，对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。
|
| 关 键 词： | 大信号模型 自升温效应 |
| 修稿时间： | 1998-08-19 |
A Large-Signal Model for the GaAs MESFET Considering Self-Heating Effect |
| |
| Wang Jing,Deng Xiancan. A Large-Signal Model for the GaAs MESFET Considering Self-Heating Effect[J]. Semiconductor Technology, 1999, 24(4): 15-18 |
| |
| Authors: | Wang Jing Deng Xiancan |
| |
| Abstract: | This paper analyzes the temperature rising in the GaAs MESFET under selfheating effect,and modifies the MESFET largesignal model considering the change of electrical parameters dependent on temperature. |
| |
| Keywords: | GaAsMESFET |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
