|
|||||
|
|
| 超纯P型硅探测器的制备和室温特性 | |
| 作者姓名： | 尤乃谈 |
| 作者单位： | 中国科学院上海原子核研究所 |
| 摘 要： | 本文主要叙述超纯P型硅探测器的制备和性能。应用浙江大学研制的超纯硅单晶制成50mm~2×1.5mm的Si(Hp)探测器,在室温10℃,对~(270)Bi 481.6keV和976keV内转换电子的能量分辨率分别为6.3keV和8.58keV;对~(137)Cs624keV内转换电子能量分辨率为7.1keV。 |
| 关 键 词： | 硅探测器 室温特性 制备工艺性能分析 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |