| 光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究 |
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| 引用本文： | 全知觉,李志锋,胡伟达,叶振华,陆卫. 光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究[J]. 红外与毫米波学报, 2007, 26(2): 92-96 |
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| 作者姓名： | 全知觉 李志锋 胡伟达 叶振华 陆卫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项基金(2004CB619004,2001CB309302)，国家自然科学基金(60476031,10234040,60244002)资助项目 |
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| 摘 要： | 报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径.拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制,产生复合电流机制,陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接隧穿电流机制.本文详细地给出了该拟合计算所采用的方法和途径,分析了拟合参数的误差范围.通过对实际器件的R-V特性曲线的拟合计算,给出了实际器件的基本特征参数,验证了该数据处理途径的实用性.
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| 关 键 词： | 碲镉汞(MCT) 光伏探测器 暗电流 参数提取 |
| 文章编号： | 1001-9014（2007）02-0092-05 |
| 收稿时间： | 2006-02-16 |
| 修稿时间： | 2006-02-162006-09-21 |
PARAMETERS EXTRACTION FROM THE DARK CURRENT CHARACTERISTICS OF LONG-WAVELENGTH HgCdTe PHOTODIODE |
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| QUAN Zhi-Jue,LI Zhi-Feng,HU Wei-D,YE Zheng-Hu,LU Wei. PARAMETERS EXTRACTION FROM THE DARK CURRENT CHARACTERISTICS OF LONG-WAVELENGTH HgCdTe PHOTODIODE[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2007, 26(2): 92-96 |
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| Authors: | QUAN Zhi-Jue LI Zhi-Feng HU Wei-D YE Zheng-Hu LU Wei |
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| Affiliation: | National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | An data-processing method was developed to obtain the device parameters from the resistance-voltage(R-V) characteristics measured in long-wavelength HgCdTe photodiode.This curve-fitting model includes the diffusion,generation-recombination,trap-assisted tunneling,and band-to-band tunneling current as dark current mechanisms.The fitting procedure was presented in details and the extents of the fitting errors were discussed.By fitting the R-V characteristics of a real device,the applicability of our method has been proved for obtaining the basic parameters of devices. |
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| Keywords: | HgCdTe(MCT) photodiode dark current parameter extraction |
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