| Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究 |
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| 引用本文： | 冯大建,丁雨憧,刘军,李和新,付昌禄,胡少勤. Ce:GAGG闪烁晶体生长与性能研究[J]. 压电与声光, 2016, 38(3): 430-432 |
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| 作者姓名： | 冯大建 丁雨憧 刘军 李和新 付昌禄 胡少勤 |
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| 作者单位： | （中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060） |
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| 基金项目： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所所控基金资助项目（26 1508） |
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| 摘 要： | 采用中频感应提拉法生长出φ50 mm×90 mm的高质量Ce:GAGG晶体,并对晶体进行X线衍射(XRD)测试,计算了晶胞参数,测试了晶体室温下的透过率、X线激发发射谱(XEL)、能谱和衰减时间特性。实验结果表明,Ce:GAGG晶体的发光中心波长为540nm,光输出为54 000光子/MeV,能量分辨率为7.2%@662keV,衰减时间为94ns。
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| 关 键 词： | 闪烁晶体 石榴石 Ce:GAGG 提拉法 光输出 |
Study on the Growth and Scintillation Properties of Ce:GAGG Crystal |
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| FENG Dajian,DING Yuchong,LIU Jun,LI Hexin,FU Changlu and HU Shaoqin. Study on the Growth and Scintillation Properties of Ce:GAGG Crystal[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2016, 38(3): 430-432 |
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| Authors: | FENG Dajian DING Yuchong LIU Jun LI Hexin FU Changlu HU Shaoqin |
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| Affiliation: | (26th Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | scintillation crystal garnet Ce:GAGG Cz method light yield |
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