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X波段高性能低噪声放大器的设计与实现
引用本文:许准,周蓓,马志强,葛俊祥.X波段高性能低噪声放大器的设计与实现[J].电子元件与材料,2014(11):73-76,80.
作者姓名:许准  周蓓  马志强  葛俊祥
作者单位:南京信息工程大学 江苏省气象传感网技术工程中心,江苏 南京,210044
基金项目:南京市“321”领军人才资助项目(No.20110112);江苏省“六大人才高峰”资助项目(No.201201-12);江苏省科技型企业技术创新基金资助项目
摘    要:设计并实现了一种适用于X波段(11~12 GHz)的高性能低噪声放大器(LNA),该低噪声放大器选用Ga As FET(MGF4941AL)低噪声半导体管,采用三级级联的方式设计,三级通过采用不同静态工作点之间的配合,达到降低放大器噪声提高增益的目的。利用微波电路仿真软件ADS仿真优化后加工实物并测试。测试结果表明,低噪声放大器在11~12 GHz工作频带内的噪声系数小于2dB,输入/输出驻波比(VSWR)小于2,功率增益大于30 d B,增益平坦度小于1.5 d B,适用于X波段接收机前端。

关 键 词:X波段  低噪声放大器  三级级联  噪声系数  VSWR  增益

Design and implementation of an X-band high performance low noise amplifier
XU Zhun,ZHOU Bei,MA Zhiqiang,GE Junxiang.Design and implementation of an X-band high performance low noise amplifier[J].Electronic Components & Materials,2014(11):73-76,80.
Authors:XU Zhun  ZHOU Bei  MA Zhiqiang  GE Junxiang
Abstract:
Keywords:X-band  low noise amplifier  three-level cascade  noise coefficient  VSWR  gain
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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