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化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展
引用本文:崔占奎,邹正光,龙飞,吴一.化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展[J].无机盐工业,2008,40(4):8-11.
作者姓名:崔占奎  邹正光  龙飞  吴一
作者单位:桂林工学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西桂林,541004
摘    要:硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景。

关 键 词:化学水浴沉积  硫化锌薄膜  Cu(In  Ga)Se2  太阳电池
文章编号:1006-4990(2008)04-0008-03
修稿时间:2007年12月7日

Research progress on preparation of zinc sulphide thin film by chemical bath deposition
Cui Zhankui,Zou Zhengguang,Long Fei,Wu Yi.Research progress on preparation of zinc sulphide thin film by chemical bath deposition[J].Inorganic Chemicals Industry,2008,40(4):8-11.
Authors:Cui Zhankui  Zou Zhengguang  Long Fei  Wu Yi
Abstract:
Keywords:
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