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利用轫致辐射X射线进行正电子分析的研究
引用本文:张翼,杨祎罡,李元景,赵新强.利用轫致辐射X射线进行正电子分析的研究[J].核电子学与探测技术,2011,31(4):373-377.
作者姓名:张翼  杨祎罡  李元景  赵新强
作者单位:1. 清华大学工程物理系,辐射物理及探测实验室,北京,100084;粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,清华大学,北京,100084
2. 解放军第二炮兵装备研究院,北京,100094
摘    要:针对现有的正电子分析方法无法分析材料内部缺陷的缺点,提出了一种新的正电子分析方法--光致正电子分析.利用加速器打靶产生的轫致辐射X射线照射样品,通过光子在材料内部发生的电子对效应来产生正电子,然后测量511 keV湮没光子进行正电子分析.通过模拟计算定量研究了该方法用于正电子分析的灵敏度、屏蔽条件等问题;建立了一套实验...

关 键 词:正电子分析  轫致辐射X射线  电子对效应  缺陷检测

A New Method of Positron Analysis with Bremsstrahlung-induced X-ray
ZHANG Yi,YANG Yi-gang,LI Yuan-jing,ZHAO Xin-qiang.A New Method of Positron Analysis with Bremsstrahlung-induced X-ray[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2011,31(4):373-377.
Authors:ZHANG Yi  YANG Yi-gang  LI Yuan-jing  ZHAO Xin-qiang
Abstract:
Keywords:
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