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纳米NiO的制备及其赝电容特性研究
引用本文:邓梅根,杨邦朝,胡永达. 纳米NiO的制备及其赝电容特性研究[J]. 材料工程, 2005, 0(5): 19-21,26
作者姓名:邓梅根  杨邦朝  胡永达
作者单位:电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
摘    要:运用沉淀转化法制备Ni(OH)2超微粉末,并通过热处理得到纳米NiO.利用TEM,TG,XRD,循环伏安和恒流充放电测试对样品进行了分析和表征.结果表明,实验制备的NiO粒径为10nm左右, 在-0.05~0.35V(vs SCE)的电位范围内表现出典型的法拉第赝电容行为, 在电流密度为2mA*cm-2时, 其比容达到243F·g-1.

关 键 词:纳米NiO  沉淀转化法  超级电容器  比容
文章编号:1001-4381(2005)05-0019-03

Research on Preparation and Pseudocapacitance Characteristics of Nanosized NiO
DENG Mei-gen,Yang Bang-chao,HU Yong-da. Research on Preparation and Pseudocapacitance Characteristics of Nanosized NiO[J]. Journal of Materials Engineering, 2005, 0(5): 19-21,26
Authors:DENG Mei-gen  Yang Bang-chao  HU Yong-da
Abstract:
Keywords:nanosized NiO  precipitation transformation method  supercapacitor  specific capacitance
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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