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| 掺氧半绝缘多晶硅膜的研制和在高反压晶体管中的钝化应用 | |
| 作者姓名： | 周光能 |
| 作者单位： | 北京机械工业自动化研究所 |
| 摘 要： | 在常压下,用所建立的CVD系统——射频感应加热卧式反应室及N_2-SiH_4-N_2O气体系统,制备出掺氧半绝缘多晶硅(SIPOS )膜.利用俄歇能谱分析、透射电子显微镜等技术实验研究了膜的元素组分、晶粒尺寸、折射率、淀积达率以及与制备条件的关系;用掺氧SIPOS和低温淀积的用SiO_2双层介质取代热生长SiO_2,应用于高反压晶体管钝化,显著提高了击穿电压BV(ceo),并且改善了穿透电流I(ceo). |
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