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Bi2O3含量对电子玻璃电性能及结构的影响
引用本文:董福惠,夏秀峰,贺雅飞,陈培,李华东. Bi2O3含量对电子玻璃电性能及结构的影响[J]. 电子元件与材料, 2008, 27(8)
作者姓名:董福惠  夏秀峰  贺雅飞  陈培  李华东
作者单位:东华大学,材料科学与工程学院先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海,200051;东华大学,材料科学与工程学院先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海,200051;东华大学,材料科学与工程学院先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海,200051;东华大学,材料科学与工程学院先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海,200051;东华大学,材料科学与工程学院先进玻璃制造技术教育部工程研究中心,上海,200051
摘    要:以Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3系为基础,调整Bi2O3与B2O3的含量以制备低熔点电子玻璃,研究了高含量Bi2O3对玻璃电性能的影响。并通过红外光谱对玻璃的结构进行了分析。结果表明:玻璃的转变温度tg、εr和ρv随着Bi2O3含量的增加而降低,而tanδ则增大。当w(Bi2O3)约为80%时,tg约为445℃,ρv约为1.9×1013Ω·cm。

关 键 词:无机非金属材料  Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3系玻璃  电性能  介电性能

Effect of Bi_2O_3 contents on electronic properties and structure of electronic glass
DONG Fu-hui,XIA Xiu-feng,HE Ya-fei,CHEN Pei,LI Hua-dong. Effect of Bi_2O_3 contents on electronic properties and structure of electronic glass[J]. Electronic Components & Materials, 2008, 27(8)
Authors:DONG Fu-hui  XIA Xiu-feng  HE Ya-fei  CHEN Pei  LI Hua-dong
Affiliation:DONG Fu-hui,XIA Xiu-feng,HE Ya-fei,CHEN Pei,LI Hua-dong ( School of Materials Science , Engineering,Engineering Research Center of Advanced Glasses Manufacturing Technology,Ministry of Education,Donghua University,Shanghai 200051,China)
Abstract:Based on the system of Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3, low-melt point electronic glass which changed of the Bi2O3 and B2O3 contents was prepared. The effect of the Bi2O3 contents on the properkies of glass system was studied. The structure of this glss was analyzed by infrared spectra. The results show that the glass transformation temperature tg, εr , and electricn ρv decrease with increase of Bi2O3 content, however, tanδ increase. When w(Bi2O3) is about 80%, tg is about 445 ℃,and ρv is about 1.9×1013 Ω·cm. Infrared spectra confirm these structural changes.
Keywords:non-metallic inorganic material  Bi2O3-B2O3-ZnO-Al2O3 glass  electric property  dielectric property  
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