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| 1.55-μm InGaAsP/InP基大功率半导体激光器的优化与制作 | |
| 引用本文： | 柯青,谭少阳,刘松涛,陆丹,张瑞康,王圩,吉晨.1.55-μm InGaAsP/InP基大功率半导体激光器的优化与制作[J].半导体学报,2015,36(9):094010-4. |
| 作者姓名： | 柯青 谭少阳 刘松涛 陆丹 张瑞康 王圩 吉晨 |
| 摘 要： | 本文对1.55-μm InGaAsP/InP基大功率宽接触激光器进行了系统的设计优化，目的在于减小内部损耗的同时增大内量子效率，最终实现大功率输出。制作并深入分析了四种不同波导结构的宽接触激光器。通过理论分析和实验验证，表明梯度波导和薄的上波导限制层结构会产生高的内量子效率和输出斜率。最终1mm腔长，50μm条宽的未镀膜宽接触激光器获得了160mW的单边输出功率。 |
| 关 键 词： | 大功率，激光器，InP，内部损耗，内量子效率 |
| 收稿时间： | 2/9/2015 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 3/3/2015 12:00:00 AM |
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