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应用于低功耗型专用集成电路的超低功耗高电源抑制比电压基准源
引用本文:段吉海,邓东宇,徐卫林,韦保林.应用于低功耗型专用集成电路的超低功耗高电源抑制比电压基准源[J].半导体学报,2015,36(9):095006-5.
作者姓名:段吉海  邓东宇  徐卫林  韦保林
基金项目:国家自然科学基金;省自然科学基金
摘    要:介绍一种超低功耗、无片上电阻的带隙基准源。该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗;采用共源共栅电流镜以提高电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18-μm CMOS工艺进行设计并流片。测试结果表明,在温度范围25℃-100℃内,温漂系数为66 ppm/℃,电源电压范围为1.8V - 3.3V时,电压调整率为0.9%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-49 dB。电路功耗仅为200 nW,芯片面积为0.01 mm2。该电路可作为低功耗专用集成电路里的基本模块。

关 键 词:ASICs  extremely  low  power  dissipation  high  power  supply  rejection  ratio  voltage  reference  source
收稿时间:2/3/2015 12:00:00 AM
修稿时间:4/2/2015 12:00:00 AM

An extremely low power voltage reference with high PSRR for power-aware ASICs
Duan Jihai,Deng Dongyu,Xu Weilin and Wei Baolin.An extremely low power voltage reference with high PSRR for power-aware ASICs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2015,36(9):095006-5.
Authors:Duan Jihai  Deng Dongyu  Xu Weilin and Wei Baolin
Affiliation:Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004, China
Abstract:
Keywords:ASICs  extremely low power dissipation  high power supply rejection ratio  voltage reference source
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